วันนี้ เซมิคอนดักเตอร์ รีเสิร์ช คอร์ปอเรชั่น (SRC) ซึ่งเป็นกลุ่มมหาวิทยาลัยชั้นนำของโลกด้านการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์และเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้อง ประกาศเปิดศูนย์วิจัย Non-Classical CMOS Research Center ด้วยเงินทุนมากกว่า 7 ล้านดอลลาร์สหรัฐในระยะเวลา 3 ปี มหาวิทยาลัย 5 แห่งจะร่วมมือกันเป็นศูนย์วิจัยเพื่อพัฒนาและใช้ประโยชน์จากกลุ่มวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ประเภทใหม่ เพื่อทำให้ซิลิคอนมีประสิทธิภาพสูงสุดเหมือน CMOS

วัสดุเหล่านี้ ซึ่งเรียกว่าอุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบผสม 3-5 (III-V compound semiconductors) เพราะส่วนประกอบทางเคมีได้รับการอ้างถึงในคอลัมน์ที่ 3 และ 5 ของตารางเคมีของโลก จะเป็นทางเลือกให้แก่เทคโนโลยีต่าง  ๆ ในปัจจุบัน และจะกลายเป็นอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ผู้คนเลือกใช้เป็นอันดับแรกจากการเพิ่มความสามารถต่าง ๆ ที่มีอยู่ของซิลิคอน ซิลิคอน CMOS ขนาดใหญ่ในปัจจุบันรู้จักกันว่าเป็นวัสดุคลาสสิคในขณะที่ศูนย์วิจัย Non-Classical CMOS Research Center จะทำให้อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบผสม 3-5 รักษาความสามารถในการใช้งาน CMOS กับแอพพลิเคชั่นขั้นปลายในอนาคตไว้ได้

ดร.จิม ฮัชบี้ ผู้อำนวยการหน่วยอุปกรณ์ศาสตร์เพื่อความร่วมมือด้านการวิจัยทั่วโลก (Device Sciences for the Global Research Collaboration; GRC) ซึ่งเป็นหน่วยงานของ SRC ที่รับผิดชอบในการจำกัดทางเลือกต่างๆในการทำให้ CMOS มีความสามารถถึงขีดสุด กล่าวว่า แม้ว่าของดีทุกอย่างจะต้องมีจุดสิ้นสุด เราได้วางแผนให้กับศูนย์วิจัย Non-Classical CMOS Research Center เพื่อทำให้แน่ใจว่ากฎของมัวร์ (Moore's Law) จะยังคงอยู่ต่อไปและใช้ได้ดีกับรุ่นหลัง ๆ อีกหลายรุ่น และเมื่อกฎของมัวร์เรื่องซิลิคอน CMOS แบบคลาสสิกไม่สามารถเป็นการแก้ปัญหาที่ใช้การต่อไปได้ ในตอนนั้นเราจะพัฒนาวัสดุและเครื่องมือชุดใหม่ออกมาเพื่อปรับปรุงความเร็วและพลังของเทคโนโลยี CMOS ที่ประสบความสำเร็จมาเป็นเวลายาวนาน

ผลลัพธ์ของการวิจัยถูกวางแผนเพื่อเพิ่มความเร็วให้กับเกทของ CMOS และลดการใช้พลังงานในวงจรไฟฟ้า ผลกระทบที่มาจากการผลิตชิปคาดว่าจะเกิดขึ้นเร็วที่สุดภายในปี 2555-2557 เมื่อเปรียบเทียบกับแผนทิศทางการพัฒนาเทคโนโลยีนานาชาติสำหรับอุปกรณ์กึ่งตัวนำ (International Technology Roadmap for Semiconductors; ITRS) ที่เรียกร้องให้มีวัสดุทางเลือกเพื่อให้เกิดการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำขนาด 22 นาโนเมตรภายในปี 2559-2562